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内存事业部介绍: 深圳忆芯信息技术股份有限公司专注于DRAM模组及相关解决方案的研发、设计与销售。忆芯的创始团队自1997年以来深耕DRAM行业,累积了近三十年的专业经验。公司具备产品研发与测试、供应链管理、模组生产制造与质量管控的端到端能力,并拥有多项内存技术发明专利。 产品系列涵盖面向服务器端的 RDIMM、CXL、SOCAMM,以及面向终端的 SODIMM、UDIMM、LPCAMM2 等。公司支持灵活的合作模式与订单交付,并持续创新,为行业头部客户提供高性能、高质量的内存产品与服务。
1、负责内存高速信号的SI/PI仿真、叠层及阻抗设计,指导Layout走线满足信号完整性要求; 2、主导关键信号的实测调优(使用示波器、TDR、VNA),定位并解决眼图、串扰、时序等问题; 3、编写仿真及测试规范,建立内部高速设计指导手册,参与原理图端接方案评审。
1、2027届获得本科及以上学历,电子工程、电磁场与微波、通信工程、物理电子学等相关专业优先; 2、深刻理解传输线、反射、串扰等SI理论; 3、熟练使用Sigrity/HFSS等仿真工具;能熟练操作高速示波器、VNA等测试设备; 4、加分项:有DDR高速接口调试或电子竞赛获奖经验。



